Выпуски бюллетеня

ТомНомер
13 1
12 1 2 3 4 5 6
11 1 2 3 4 5 6
10 1 2 3 4 5
9 1 2 3 4 5
8 1 2 3 4 5
7 1
6 1 2 3 4
5 1 2 3 4 5 6
4 1 2 3 4 5 6
3 1 2 3 4 5 6
2 1 2 3 4 5
1 1 2
0 0

Тематический указатель

Достижения компании STI, представленные на конференции ASC 2014

2014, Tом 11, выпуск 6
Тематика: Зарубежные фирмы и их разработки

На прошедшей конференции по прикладной сверхпроводимости ASC 2014 (10-15 августа 2014) в г. Шарлотт (Северная Каролина, США), представители компании Superconductors Technology Industries (STI, Техас, США) доложили о своих успехах в производстве ВТСП лент второго поколения. В предыдущем выпуске бюллетеня были  рассмотрены особенности пилотной линии компании STI, запущенной в 2011 году (см. выпуск 2, том 11, 2014). Как сообщалось ранее, компания STI в 2014 году запланировала начать крупномасштабное производство ВТСП-лент с критическим током не менее 500 А/см и объемом производства до 750 км ленты в год, за счет масштабирования технологии RCE-CDR и IBAD.

Компания STI производит ВТСП ленты с различной шириной: 3 мм, 4 мм, 10 мм, 12 мм, 30 мм, а также 100 мм. Максимальная длина единичного отрезка проводника достигает 1000 м. Массовое производство ВТСП лент длиной 1000 м запланировано на конец 2014 года.

Производительность завода STI достигает 1000 км в год, что удалось добиться за счет увеличения скорости IBAD процесса в 10 раз (150 м/ч) путем многозаходного напыления компонент буферного слоя на ленту, протягиваемую через различительные напылительные зоны в вакуумной камере. Производительность увеличивается также за счет применения сдвоенной вакуумной камеры для одновременного осаждения буферного слоя IBAD-MgO и выращивания поверх него эпитаксиального слоя MgO. Нововведением является контроль дифракции быстрых электронов одновременно на всех участках ленты (multi-lane RHEED).

Значительно увеличена однородность критического тока по длине ленты (Рис.1) и его среднее значение, которое для лент с шириной 10 мм и длиной 50 м составило 590 А в собственном магнитном поле при 77 К. Прямое измерение критического тока для лент с шириной 12 мм дает 674 А (Рис.1). Кроме того авторы заявляют среднее значение критического тока больше 500 А/см при длине более 50 м, что намного превосходит сообщенные ранее результаты (350 А/см для 30 м). 

 

Рис. 1 Однородность токонесущей способности по длине ВТСП ленты STI

и вольтамперная характеристика одного из участков проводника.

 

Анизотропия токонесущей способности лент STI в магнитных полях в диапазоне температур 77,5 – 25 К и магнитных полях 1 - 7 Тл была практически подавлена за счет внутреннего пининга. Как отмечалось ранее, фактор анизотропии был равен двум. С уменьшением температуры до 25 К начинает проявляться пик критического тока на 90 градусах. Каким образом один из недостатков ранней версии ВТСП-лент фирмы STI превратился в ее преимущество, авторы сообщения не уточняют (Рис. 3).

 

 

Рис. 3. Анизотропия токонесущей способности ВТСП лент STI.

Для определения однородности токонесущей способности по ширине ленты, с помощью холловской магнитометрии было измерено распределение захваченного магнитного поля на квадратном участке ленты со стороной 10 мм. Максимальное захваченное магнитное поле достигает 26 мТл. Симметричная форма захваченного магнитного поля указывает на высокую однородность критических свойств по ширине ленты (Рис.4).  

Рис. 4. Распределение захваченного магнитного поля в участке ленты со сторонами 1 на 1 см

При понижении температуры от 77 К до 65 К токонесущая способность ВТСП ленты увеличивается в 2,1 раза, а при понижении до 25 К- в 8,8 раз, составляя 3500А/см.

Таким образом, за три года совершенствования, пилотная линия вышла на заявленные характеристики (к апрелю 2014 г).

 

1. J.U. Huh, J. Cao, X. Qiu, J. Chase, K. Pfeiffer, «Low-Cost 2G HTS Coated Conductor Scale-Up at STI», Applied Superconductivity Conference (2014)

О.И. Свистунова, А.И. Блудова

Главная | Новости | Бюллетень | Конференции | Поиск публикаций в базе данных | Новое в базе данных
Российские организации | Энциклопедия | Цели сайта | Контакты | Полезные ссылки | Карта сайта | Помощь

© Copyright 2006-2012. Использование материалов сайта возможно только с обязательной ссылкой на сайт.
Свои замечания и пожелания вы можете направлять по адресу perst@isssph.kiae.ru
Техническая поддержка Alexey, дизайн Teodor.