Прогресс в улучшении сверхпроводящих свойств пленок халькогенидов на основе железа.
Тематика: Рекорды и достижения, Сверхпроводники на основе железа
Американские исследователи из Национальных лабораторий Брукхевена, Ок-Риджа, и Национальной лаборатории высоких магнитных полей университета Флориды показали, что критические токи в пленках халькогенида на основе железа FeSe0,5Te0,5 при гелиевых температурах в магнитных полях 30 Тл достигают 100 кA/см2, что сопоставимо с ВТСП материалами. Пленки были получены методом лазерного осаждения на NiW RABiTS подложку с CeO2 буферным слоем. Показано, что использование такой подложки и буферного слоя повышает критическую температуру с 12-15 К практически до 20 К. Критическая плотность тока в собственном поле достигала 1 МА/см2 при 4,2 К. Авторы считают данный материал более перспективным при гелиевых температурах, чем ВТСП 2-го поколения, благодаря более дешевой технологии производства, изотропности свойств и меньшей хрупкости. Более высокие критические свойства этого материала по сравнению с низкотемпературными сверхпроводниками также открывают для него интересные перспективы.
16.01.2013 Источник: Nature Communications Published 15 Jan 2013