ВТСП проводник 2-го поколения из таллиевого купрата
Тематика: ВТСП провода и кабели
Поиски новых способов и новых материалов для СП электроэнергетики продолжается.
В корейских институтах (Korea Electrotechnology Research Institute и Pusan National University) c 2000 года разрабатывается технология получения ВТСП проводов 2-го поколения путем гальванического осаждения купрата таллия на серебряную подложку.
Преимущества Tl-1223 по сравнению Y-123 заключаются в более высокой критической температуре (123 и 92 К, соответственно) и меньших временах термообработки.
Предложенный корейцами метод получения пленок достаточно прост сам по себе и не требует многочисленных буферных слоев между металлической подложкой и слоем ВТСП. Осажденная из раствора электролита тонкая пленка купрата таллия высушивается, подвергается термической обработке и насыщается парами таллия до возникновения сверхпроводящей фазы Tl-1223. Процесс повторяется несколько раз до получения пленки толщиной 2-3 мкм. Критическая температура пленки составляет 110-115 К при критической плотности тока 18 кА/см2 (при 77 К). Низкую токонесущую способность проводника разработчики связывают с потерями таллия в процессе термообработки.
14.01.2008 Источник: Superconductor Science and Technology, v. 20, 1239-1252 (2007).