ВТСП 2-го поколения на оксидном волокне
Тематика: ВТСП провода и кабели
На состоявшейся в конце июля традиционной американской встрече DoE Peer Review учеными из Оак Риджа была представлена идея осаждения ВТСП слоев на монокристаллические волокна из сапфира. То, что на R-плоскости Al2O3 (индексы Миллера (102)) с использованием буферного слоя CeO2 можно растить ВТСП-пленки, известно давно. Новым является применение в качестве подложки длинномерных волокон с разитыми R-гранями. Такие волокна исследователям из ORNL удалось вырастить со скоростью до 3 м/ч и длиной до 10 м. Рост волокон осуществляется из расплава при высокой температуре. На волокнах получены ВТСП пленки с критическим током более 0.4 МА/см2. Разработка направлена на создание круглых сверхпроводников, однако круглыми покрытые волокна не являются, скорее двусторонними. Оксидные волокна обладают рядом достоинств - хорошие механические свойства, малая толщина - до нескольких микрон, но это недешевый материал. Заявку на соотвествующий патент подал Амит Гойял.
23.09.2008 Источник: DoE Peer Review 2008