ВТСП 2-го поколения в магнитном поле
Тематика: Рекорды и достижения, ВТСП провода и кабели
Superconductor Technologies Inc., STI, и Los Alamos National Laboratory, LANL, 9.02.11 сообщили о весьма высоких значениях критического тока короткого образца ВТСП 2-го поколения (ширина 8,9 мм, длина 40 мм, толщина слоя ВТСП 4,4 мкм) в магнитных полях до 5 Тл. При 65 К и 3 Тл минимальное значение критического тока составило 228 А (256 А/см ширины). При параллельном направлении поля к поверхности плёнки значение тока превышало 404 А/см ширины. В поле 5 Тл соответственно минимальное и максимальное значения криттока были 143 и 322 А/см ширины. Покрытия ВТСП получены в STI по технологии реактивного совместного испарения компонентов при цикличности процессов осаждения и окисления (reactive coevaporation with cyclic deposition and reaction, RCE-CDR) на приготовленную в LANL подложку с буферными слоями. Весьма похожая технология применяется немецкой фирмой Theva. Утверждается, что процесс обещает быть коммерчески осуществимым, поскольку подложка относительно проста в изготовлении (основа- лента из немагнитного сплава на основе никеля с двумя буферными слоями, первый из которых является планаризующим и осажден по растворной технологии, а второй получен с помощью IBAD*). Изготовители надеются, что благодаря более простой технологии изготовления ВТСП провода по сравнению с конкурирующими технологиями возможен переход к длинномерным проводам. Работа выполнена в рамках соглашения CRADA (cooperative research and development agreement).
* IBAD - Ion beam assisted deposition - осаждение с помощью ионных пучков: ионный пучок испаряет мишень, а также бомбардирует под определенным углом подложку, на которую осаждается испаряемое вещество.
12.02.2011 Источник: сайт American Banking & Market News