ВТСП 2-го поколения в поле 3 Тл
Тематика: ВТСП провода и кабели
Исследователям из Японии удалось улучшить критические свойства и снизить их анизотропию путем введения в ВТСП 2-го поколения GdBa2Cu3O7 искусственных центров пиннинга в виде наностолбиков из BaHfO3. В поле 3 Тл при 77 К минимальное значение критического тока достигало 85 А на см ширины, а при 65 К – 287 А на см ширины. ВТСП пленки были осаждены на подложку из сплава хастеллой с буферными слоями из CeO2 (PLD), LMO (IBAD) MgO(IBS) Gd2Zr2O7 методом PLD. Ширина проводника – 10 мм, длина – 100 мм. Минимальное значение плотности критического тока 0,3 МА/см2 практически не менялось при росте толщины ВТСП пленок от 1 до 2,9 мкм. На рисунке приведены данные по угловой зависимости критического тока при 65 К и полях 5, 3 и 1 Тл.
17.05.2012 Источник: Superconductor Science Technology v.25, N 6, 062002